情報その2 パワー・アンプ 半導体素子を組み合わせて用い、東北大学西澤潤一先生発明のバーティ カルFET 特性と類似した特性を再現した、負のバイアスを持つ大電流バッファ(10Aでも20Aでも可能)の、増幅段に小型トランス、最終段は出力トランスでスピーカを…

情報その1 半導体素子を組み合わせて用い、東北大学西澤潤一先生発明のバーティ カルFET 特性と類似した特性を再現した、負のバイアスを持つ大電流バッファ(10Aでも20Aでも可能)の、増幅段に小型トランス、最終段は出力トランスでスピーカを駆動する、 マハ…

ブログを更新 写真を少し公開！ 半導体素子を組み合わせて用い、東北大学西澤潤一先生発明のバーティカルFET 特性と類似した特性を再現した、負のバイアスを持つ大電流バッファ(10Aでも20Aでも可能) の、増幅段に小型トランス、最終段は出力トランスでスピー…